Product information
- Drain-Source-Durchbruchspannung: -100 V
- Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 0,48 Ohm
- Drainstrom: -6,8 A
- Verlustleistung @Tc=25 °C: 48 W
- Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
- Einschalt-Verzögerungszeit: 14 nS
- Eingangskapazität: 350 pF
- Ausgangskapazität: 110 pF
Properties "IRF9520NBF TO220 P-CHANNEL POWER MOSFET THT | Infineon"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datasheet
Manufacturer "Infineon"
Infineon Technologies AG
Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg
Am Campeon 1-15
85579 Neubiberg
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