Product information
- Drain-Source-Spannung: 1000 V
- Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- Drainstrom: 4 A
- Gate Fehlerstrom: +/-100 nA
- max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
- Eingangskapazität: 700 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 3 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Properties "2SK1930 2-10S1B N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
| Gehäuse: | 2-10S1B |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datasheet
Manufacturer "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH
Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
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