Product information
- Details: SWITCHING P-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
- Drain-Source-Spannung: -250 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 30 V
- Drainstrom: +/- 6 A
- Gate-Leckstrom: - 100 µA
- Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 35 W
- Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 2 W
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Properties "2SJ449 TO220 ISOLIERT P-CHANNEL MOSFET THT | NEC"
| Gehäuse: | TO220 ISOLIERT |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datasheet
Manufacturer "NEC"
Renesas Electronics Germany GmbH
Grenzstraße 28
01109 Dresden
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