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Product information

  • Details: N-Channel Plastic-Encapsulate MOSFET
  • Drain-Source-Spannung: 60 V
  • Drain-Gate-Spannung: 60 V
  • Gate-Source-Spannung: +/-20 V
  • Drainstrom: 500 mA
  • pulsierender Drainstrom: 1200 mA
  • Drainverlustleistung @Ta = 25 °C: 0,83 W
  • Drain-Source Einschaltwiderstand: 1,2 Ohm
  • Eingangskapazität: 24 pF
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Properties "BS170 TO92 N-CHANNEL MOSFET THT | CDIL"
Gehäuse: TO92
Montageart: THT
Datasheet
BS170

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Download "BS170" (461.19 KB)
Manufacturer "CDIL"

Continental Device India Ltd.

Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:

MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid

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