Product information
- Drain-Source-Spannung: 500 V
- Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- Drainstrom: 12 A
- Gate Fehlerstrom: +/-10 µA
- max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
- Eingangskapazität: 2050 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 0,45 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Properties "2SK683 TO-3P N-CHANNEL MOSFET THT | FUJI"
| Gehäuse: | TO-3P |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datasheet
Manufacturer "FUJI"
Fuji Electric Europe GmbH
Goethering 58
63067 Offenbach am Main
Goethering 58
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