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SI2308BDS-T1-GE3 SOT23 N-CHANNEL 60 V MOSFET SMT | Vishay
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| Bis 99 |
0,26 €
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| Bis 499 |
0,18 €
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| Bis 999 |
0,16 €
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| Bis 2999 |
0,15 €
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| Ab 3000 |
0,13 €
|
Inhalt:
1 Stück
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Produktnummer:
SI2308BDS-T1-GE3
Hersteller-Nr.:
SI2308BDS-T1-GE3
Min.-Bestellmenge:
20 Stück
Herstellerverpackungseinheit:
3000 Stück
RoHS:
konform
Gesetzliche Gewährleistung
Produktinformationen
- max. Drain-Source-Spannung: 60 V
- max. Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- max. Drain-Strom: 8 A
- Drain-Source-Einschaltwiderstand @Vgs=10 V: 0,156 Ohm
- Verlustleistung @Tc=25 °C: 1,66 W
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "SI2308BDS-T1-GE3 SOT23 N-CHANNEL 60 V MOSFET SMT | Vishay"
| Gehäuse: | SOT23 |
|---|---|
| Montageart: | SMT |
Datenblatt
Hersteller "Vishay"
Vishay Semiconductor GmbH
Theresienstraße 2
74072 Heilbronn
Theresienstraße 2
74072 Heilbronn
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