Produktinformationen
- Drain-Source-Durchbruchspannung: -100 V
- Drain-Source-Widerstand im eingeschalteten Zustand: 1,2 Ohm
- Drainstrom: -4 A
- Verlustleistung @Tc=25 °C: 43 W
- Betriebstemperatur: -55 °C - 175 °C
- Einschalt-Verzögerungszeit: 10 nS
- Eingangskapazität: 200 pF
- Ausgangskapazität: 94 pF
Eigenschaften "IRF9510PBF TO220 P-CHANNEL POWER MOSFET THT | Vishay"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Vishay"
Vishay Semiconductor GmbH
Theresienstraße 2
74072 Heilbronn
Theresienstraße 2
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