Produktinformationen
- Drain-Gate-Spannung: 50 V
- Drain-Source-Spannung: 50 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 20 V
- Dunkelstrom: 30 A
- Verlustleistung: 75 W
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "BUZ11_NR4941 TO220 N-CHANNEL MOSFET THT | ONSEMI"
| Gehäuse: | TO220 |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "ONSEMI"
ON Semiconductor Germany GmbH
Einsteinring 28
85609 Aschheim
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