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Produktinformationen

  • Details: Silicon Diffused Power Transistor
  • Kollektor-Emitter-Spannung: 800 V
  • Kollektor-Emitter-Spannung Höchstwert: 1500 V
  • Kollektorstrom: 10 A
  • Spitzenkollektorstrom: 25 A
  • Verlustleistung @ Tamb = 25 °C: 45 W
  • Betriebstemperatur: 150 °C
Eigenschaften "BU2520AF TO247F TRANSISTOR NPN THT | NXP"
Gehäuse: TO247F
Montageart: THT
Datenblatt
BU2520AF

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Hersteller "NXP"
NXP Semiconductors Germany GmbH

Schatzbogen 7
81829 München

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