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2SK1930 2-10S1B N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics
51 lieferbar
Lieferzeit: Sofort verfügbar
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| Bis 4 |
3,54 €
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| Bis 48 |
2,41 €
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2,11 €
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| Bis 50 |
1,95 €
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| Ab 51 |
1,79 €
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Inhalt:
1 Stück
Produktnummer:
5440193000
Min.-Bestellmenge:
2
Herstellerverpackungseinheit:
1 Stück
Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 1000 V
- Gate-Source-Spannung: +/-20 V
- Drainstrom: 4 A
- Gate Fehlerstrom: +/-100 nA
- max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
- Eingangskapazität: 700 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 3 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK1930 2-10S1B N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
| Gehäuse: | 2-10S1B |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH
Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
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