Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 1000 V
- Gate-Source-Spannung: +/-30 V
- Drainstrom: 5 A
- Gate Fehlerstrom: +/-10 µA
- Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 100 W
- Eingangskapazität: 1700 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 1,5 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK1773 TO-3P N-CHANNEL MOSFET THT | HITACHI"
| Gehäuse: | TO-3P |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "HITACHI"
Hitachi High-Tech Europe GmbH
Europark Fichtenhain A 12
47807 Krefeld
Europark Fichtenhain A 12
47807 Krefeld
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