Produktinformationen
- Details: High Speed, High Current DC-DC Converter
- Gate-Drain-Spannung: 600 V
- Drain-Source-Spannung: 600 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 30 V
- Drainstrom: 6 A
- Gate-Leckstrom: +/- 100 nA
- Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 25 W
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK1118 TO220 ISOLIERT N-CHANNEL MOSFET THT | Toshiba Electronics"
| Gehäuse: | TO220 ISOLIERT |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "Toshiba Electronics"
Toshiba Electronics Europe GmbH
Hansaallee 181
40549 Düsseldorf
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