Produktinformationen
- Drain-Source-Spannung: 450 V
- Gate-Source-Spitzenspannung: +/-30 V
- Drainstrom: 5 A
- Gate Fehlerstrom: 10 nA
- max Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 40 W
- Eingangskapazität: 500 pF
- Drain-Source-Durchlasswiderstand: 1,1 Ohm
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SK1006 TO-3PN N-CHANNEL MOSFET THT | FUJI"
| Gehäuse: | TO-3PN |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "FUJI"
Fuji Electric Europe GmbH
Goethering 58
63067 Offenbach am Main
Goethering 58
63067 Offenbach am Main
Anmelden
Keine Bewertungen gefunden. Teilen Sie Ihre Erfahrungen mit anderen.