Produktinformationen
- Details: Ultrahigh-Speed Switching Applications
- Drain-Source-Spannung: -250 V
- Gate-Source-Spannung: +/- 30 V
- Drainstrom: -3 A
- Gate-Leckstrom: - 10 µA
- Verlustleistung @ Tc = 25 °C: 25 W
- Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 2 W
- Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
Eigenschaften "2SJ306 TO220 ISOLIERT SILICON P-CHANNEL MOSFET THT | SANYO"
| Gehäuse: | TO220 ISOLIERT |
|---|---|
| Montageart: | THT |
Datenblatt
Hersteller "SANYO"
Panasonic Semiconductor Solutions Co., Ltd.
Verantwortliche Person für die EU
In der EU ansässiger Wirtschaftsbeteiligter, der sicherstellt, dass das Produkt den erforderlichen Vorschriften entspricht:
MEPATRONIK GmbH
Greulingstr. 10-12
42859 Remscheid
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