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Produktinformationen

  • Kollektor-Emitter-Spannung: -160 V
  • Kollektor-Base-Spannung: -180 V
  • Emitter-Base-Spannung: -5 V
  • Kollektorstrom: -1,5 A
  • Ausgangskapazität: 27 pF
  • Bandbreite: 140 MHz
  • Verlustleistung @Ta = 25 °C: 1 W
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
  • Klassifikation: 100 - 200
Eigenschaften "2SB649A TO126 PNP SILICON TRANSISTOR THT | INCHANGE"
Gehäuse: TO126
Montageart: THT
Datenblatt
2SB649A

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