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Produktinformationen

  • Details: EPITAXIAL SILICON
  • Herstellerbezeichnung: 2SB647L-C-T9N-K
  • Kollektor-Emitter-Spannung: -80 V
  • Kollektor-Base-Spannung: -120 V
  • Emitter-Base-Spannung: -5 V
  • Kollektorstrom: -1 A
  • Ausgangskapazität: 20 pF
  • Bandbreite: 140 MHz
  • Verlustleistung @ Ta = 25 °C: 0,9 W
  • Betriebstemperatur: -55 - 150 °C
  • Klassifikation: 100 - 200
Eigenschaften "2SB647 TO92L TRANSISTOR PNP THT | Unisonic Technologies"
Gehäuse: TO92L
Montageart: THT
Datenblatt
2SB647

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